Número de Producto del Fabricante:
IRF1902TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF1902TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12804312
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ENVIAR
IRF1902TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.7V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
700mV @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
310 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRF1902TRPBF-DG
IRF1902TRPBFTR
SP001564704
IRF1902TRPBFCT
IRF1902TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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