Número de Producto del Fabricante:
IRF200B211
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF200B211-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
4746 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802645
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ENVIAR
IRF200B211 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRF200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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