IRF520NS
Número de Producto del Fabricante:

IRF520NS

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF520NS-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

12803440
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IRF520NS Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF520NS
SP001559622

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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