Número de Producto del Fabricante:
IRF5804TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF5804TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 2.5A MICRO6
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 2.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventario:
12812821
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ENVIAR
IRF5804TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
198mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
680 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRF5804TRPBF-DG
IRF5804TRPBFTR
SP001561856
IRF5804TRPBFCT
IRF5804TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI3438DV-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
15495
NÚMERO DE PIEZA
SI3438DV-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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