Número de Producto del Fabricante:
IRF5806
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF5806-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventario:
12804858
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ENVIAR
IRF5806 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
86mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
594 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
100
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC634P
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5000
NÚMERO DE PIEZA
FDC634P-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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