Número de Producto del Fabricante:
IRF630NL
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF630NL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12804520
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ENVIAR
IRF630NL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
575 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
82W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF630NL
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RCX120N25
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RCX120N25-DG
PRECIO UNITARIO
1.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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