Número de Producto del Fabricante:
IRF6611
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6611-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
12804257
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ENVIAR
IRF6611 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.25V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4860 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6611CT
IRF6611TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN2R5-30YL,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
2090
NÚMERO DE PIEZA
PSMN2R5-30YL,115-DG
PRECIO UNITARIO
0.39
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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