Número de Producto del Fabricante:
IRF6655TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6655TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
Inventario:
12818786
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ENVIAR
IRF6655TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.8V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
530 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ SH
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SH
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
SP001562060
IRF6655TRPBFCT
IRF6655TRPBFTR
IRF6655TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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