Número de Producto del Fabricante:
IRF6716MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6716MTR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 180A (Tc) 3.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
12813566
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6716MTR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5150 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6716MTR1PBF-DG
IRF6716MTR1PBFDKR
IRF6716MTR1PBFTR
SP001532376
IRF6716MTR1PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFS4115PBF
MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
IRLL2703TR
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRF540NSPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
