Número de Producto del Fabricante:
IRF6785MTRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6785MTRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3.4A (Ta), 19A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
9600 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822929
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF6785MTRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A (Ta), 19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ
Número de producto base
IRF6785
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4,800
Otros nombres
IRF6785MTRPBFTR
IRF6785MTRPBF-DG
IRF6785MTRPBFCT
2156-IRF6785MTRPBF
SP001562032
IRF6785MTRPBFDKR
IFEINFIRF6785MTRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF8721GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
BUK7524-55,127
MOSFET N-CH 55V 45A TO220AB
IPS09N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
