Número de Producto del Fabricante:
IRF6794MTR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF6794MTR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 200A (Tc) 2.8W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventario:
300 Pcs Nuevos Originales En Stock
13064195
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ENVIAR
IRF6794MTR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT)
Serie
HEXFET®
Embalaje
Cut Tape (CT)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4420 pF @ 13 V
Función FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (máx.)
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MX
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF6794MTR1PBFCT
IRF6794MTR1PBFTR
SP001531602
IRF6794MTR1PBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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