Número de Producto del Fabricante:
IRF7303TRPBFXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7303TRPBFXTMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 4.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-902
Inventario:
11995 Pcs Nuevos Originales En Stock
13000536
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ENVIAR
IRF7303TRPBFXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.9A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
520pF @ 25V
Potencia - Máx.
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-DSO-8-902
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
448-IRF7303TRPBFXTMA1TR
448-IRF7303TRPBFXTMA1CT
448-IRF7303TRPBFXTMA1DKR
SP005876271
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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