IRF7726
Número de Producto del Fabricante:

IRF7726

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF7726-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount Micro8™

Inventario:

12804624
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF7726 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2204 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.79W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro8™
Paquete / Caja
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
80
Otros nombres
*IRF7726

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPB100N08S207ATMA1

MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

infineon-technologies

IPI139N08N3GHKSA1

MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3

infineon-technologies

IRF7811A

MOSFET N-CH 28V 11A 8SO

infineon-technologies

IRFH7004TRPBF

MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN