Número de Producto del Fabricante:
IRF7807VD1TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7807VD1TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 8.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
13064109
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ENVIAR
IRF7807VD1TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
FETKY™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRF7807VD1PBFDKR
IRF7807VD1TRPBFTR-ND
*IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1TRPBF-ND
IRF7807VD1PBFCT
SP001554420
IRF7807VD1PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS8884
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
7218
NÚMERO DE PIEZA
FDS8884-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
MCQ4822-TP
FABRICANTE
Micro Commercial Co
CANTIDAD DISPONIBLE
24952
NÚMERO DE PIEZA
MCQ4822-TP-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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