Número de Producto del Fabricante:
IRF7815PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF7815PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
12803849
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF7815PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1647 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
95
Otros nombres
SP001575250
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDS2572
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
19251
NÚMERO DE PIEZA
FDS2572-DG
PRECIO UNITARIO
0.63
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPU95R750P7AKMA1
MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
IPB60R280C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
IRF3708
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
