Número de Producto del Fabricante:
IRF8327STR1PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF8327STR1PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Inventario:
12804599
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ENVIAR
IRF8327STR1PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1430 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ SQ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric SQ
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IRF8327STR1PBFCT
IRF8327STR1PBFDKR
SP001565762
IRF8327STR1PBF-DG
IRF8327STR1PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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