Número de Producto del Fabricante:
IRF8707TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF8707TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventario:
27101 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807045
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ENVIAR
IRF8707TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.9mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.35V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
760 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
IRF8707
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001555780
IRF8707TRPBFDKR
IRF8707TRPBFCT
IRF8707TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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