Número de Producto del Fabricante:
IRF9393TRPBFXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF9393TRPBFXTMA1-DG
Descripción:
TRENCH <= 40V
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 9.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
13269517
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ENVIAR
IRF9393TRPBFXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 20V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.3mOhm @ 9.2A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1110 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP005959509
448-IRF9393TRPBFXTMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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