Número de Producto del Fabricante:
IRFH5020TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5020TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 5.1A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
13064169
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ENVIAR
IRFH5020TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Cut Tape (CT)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.1A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
55mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
54 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 100 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
SP001556316
IRFH5020TR2PBFCT
IRFH5020TR2PBFDKR
IRFH5020TR2PBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TPH6400ENH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
17990
NÚMERO DE PIEZA
TPH6400ENH,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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