Número de Producto del Fabricante:
IRFH5025TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5025TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12822638
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ENVIAR
IRFH5025TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2150 pF @ 50 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SI7190DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
5485
NÚMERO DE PIEZA
SI7190DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.76
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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