Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Basque
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Basque
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
Francia
España
Turquía
Moldavia
Lituania
Noruega
Alemania
Portugal
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Ruso
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Serbia
Bielorrusia
Países Bajos
Suecia
Montenegro
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Rumania
Austria
Bélgica
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
República Democrática del Congo
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Angola
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRFH5210TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5210TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12818599
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFH5210TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2570 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRFH5210TR2PBF
Hoja de datos HTML
IRFH5210TR2PBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
IRFH5210TR2PBFCT
IRFH5210TR2PBFTR
SP001556356
IRFH5210TR2PBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TPH12008NH,L1Q
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
5000
NÚMERO DE PIEZA
TPH12008NH,L1Q-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STL60N10F7
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2720
NÚMERO DE PIEZA
STL60N10F7-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
DMT10H015LFG-7
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
37130
NÚMERO DE PIEZA
DMT10H015LFG-7-DG
PRECIO UNITARIO
0.37
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
IPP024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF6713STRPBF
MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET
IRFIZ24NPBF
MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP