Número de Producto del Fabricante:
IRFH5210TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5210TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
4891 Pcs Nuevos Originales En Stock
12812297
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ENVIAR
IRFH5210TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2570 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
IRFH5210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
IRFH5210TRPBFDKR
IRFH5210TRPBFTR
IRFH5210TRPBF-DG
SP001556226
IRFH5210TRPBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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