Número de Producto del Fabricante:
IRFH5220TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH5220TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 3.8A (Ta), 20A (Tc) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Inventario:
12804742
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ENVIAR
IRFH5220TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.8A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99.9mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1380 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-VQFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001570846
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSC12DN20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
11979
NÚMERO DE PIEZA
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDMS2672
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
1825
NÚMERO DE PIEZA
FDMS2672-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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