Número de Producto del Fabricante:
IRFH6200TR2PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFH6200TR2PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
12805811
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ENVIAR
IRFH6200TR2PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.1V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
230 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10890 pF @ 10 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SIR404DP-T1-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
28137
NÚMERO DE PIEZA
SIR404DP-T1-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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