Número de Producto del Fabricante:
IRFP22N50APBFXKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFP22N50APBFXKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventario:
12805289
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ENVIAR
IRFP22N50APBFXKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
230mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
277W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
SP001560506
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFP22N50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1827
NÚMERO DE PIEZA
IRFP22N50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
2.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
SIHG22N50D-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHG22N50D-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
2.62
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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