IRFP3006PBFXKMA1
Número de Producto del Fabricante:

IRFP3006PBFXKMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFP3006PBFXKMA1-DG

Descripción:

TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventario:

13269208
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFP3006PBFXKMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
195A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8970 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AC
Paquete / Caja
TO-247-3

Información Adicional

Paquete Estándar
400
Otros nombres
SP005732687
448-IRFP3006PBFXKMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IMZA75R140M1HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IMZA65R020M2HXKSA1

SILICON CARBIDE MOSFET

infineon-technologies

IAUCN10S5L094DATMA1

MOSFET_(75V 120V(