IRFS3206TRRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFS3206TRRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFS3206TRRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventario:

8293 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806061
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IRFS3206TRRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6540 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRFS3206

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRFS3206TRRPBFTR
IRFS3206TRRPBFCT
SP001573508
IRFS3206TRRPBFDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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