Número de Producto del Fabricante:
IRFS4227TRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFS4227TRLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
3850 Pcs Nuevos Originales En Stock
12822449
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ENVIAR
IRFS4227TRLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
62A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRFS4227
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRFS4227TRLPBF-DG
IRFS4227TRLPBFCT
2156-IRFS4227TRLPBFINF
IRFS4227TRLPBFTR
IRFS4227TRLPBFDKR
SP001567810
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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