Número de Producto del Fabricante:
IRFSL3207
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFSL3207-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 180A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 180A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12807260
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFSL3207 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7600 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
330W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFSL3207
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFSL3207ZPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
880
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL3207ZPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRLR7833CTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRLR7843PBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
IRLR4343
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
