IRFSL38N20DPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFSL38N20DPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFSL38N20DPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 43A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 43A (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

12804000
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IRFSL38N20DPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
54mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
91 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IFEINFIRFSL38N20DPBF
SP001557568
2156-IRFSL38N20DPBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IRFSL4127PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1919
NÚMERO DE PIEZA
IRFSL4127PBF-DG
PRECIO UNITARIO
2.75
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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