IRFSL4510PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFSL4510PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFSL4510PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 61A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 61A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

12807486
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFSL4510PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
61A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3180 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
2156-IRFSL4510PBF
SP001552374
IFEINFIRFSL4510PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF3205SPBF

MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK

infineon-technologies

SI4410DYPBF

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

infineon-technologies

IPW60R190P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3

infineon-technologies

SPP12N50C3HKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3