Número de Producto del Fabricante:
IRFSL4610PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFSL4610PBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 73A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12806394
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ENVIAR
IRFSL4610PBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
73A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3550 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001578448
*IRFSL4610PBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPI086N10N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
270
NÚMERO DE PIEZA
IPI086N10N3GXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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