IRFU3412PBF
Número de Producto del Fabricante:

IRFU3412PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFU3412PBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventario:

12815028
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRFU3412PBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
25mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251AA)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Recursos de diseño

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRFU3412PBF

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF6619TR1

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

texas-instruments

CSD16342Q5A

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

texas-instruments

CSD16323Q3

MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON

infineon-technologies

IRF7703TR

MOSFET P-CH 40V 6A 8TSSOP