IRFU9N20D
Número de Producto del Fabricante:

IRFU9N20D

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRFU9N20D-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

Inventario:

12803149
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IRFU9N20D Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
560 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK (TO-251AA)
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
75
Otros nombres
*IRFU9N20D

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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