Número de Producto del Fabricante:

IRLBD59N04ETRLP

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRLBD59N04ETRLP-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5

Descripción Detallada:

N-Channel 40 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5

Inventario:

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12806083

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IRLBD59N04ETRLP Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

40 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

59A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

18mOhm @ 35A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

50 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2190 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

130W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-263-5

Paquete / Caja

TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar

800

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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