Número de Producto del Fabricante:
IRLZ34NSTRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRLZ34NSTRLPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
30084 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807161
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ENVIAR
IRLZ34NSTRLPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
D2PAK
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRLZ34
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Recursos de diseño
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRLZ34NSTRLPBFDKR
IRLZ34NSTRLPBF-DG
IRLZ34NSTRLPBFTR
SP001573060
IRLZ34NSTRLPBFCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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