ISK018NE1LM7AULA1
Número de Producto del Fabricante:

ISK018NE1LM7AULA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

ISK018NE1LM7AULA1-DG

Descripción:

ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 15 V 30A (Ta), 129A (Tc) 2.1W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PG-VSON-6-1

Inventario:

13255994
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ISK018NE1LM7AULA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
15 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Ta), 129A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 7V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8mOhm @ 20A, 7V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 106µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13.6 nC @ 7 V
Vgs (máx.)
±7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 7.5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-6-1
Paquete / Caja
6-PowerVDFN

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP005576350
448-ISK018NE1LM7AULA1TR
448-ISK018NE1LM7AULA1DKR
448-ISK018NE1LM7AULA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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