Número de Producto del Fabricante:
ISS55EP06LMXTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
ISS55EP06LMXTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 180mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
Inventario:
101600 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806987
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ENVIAR
ISS55EP06LMXTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5Ohm @ 180mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 11µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
18 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23-3-5
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
ISS55EP06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
448-ISS55EP06LMXTSA1TR
2156-ISS55EP06LMXTSA1TR
ISS55EP06LMXTSA1-DG
448-ISS55EP06LMXTSA1DKR
448-ISS55EP06LMXTSA1CT
SP004987278
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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