IST015N06NM5AUMA1
Número de Producto del Fabricante:

IST015N06NM5AUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IST015N06NM5AUMA1-DG

Descripción:

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 36A (Ta), 242A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-1

Inventario:

1806 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001206
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IST015N06NM5AUMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
36A (Ta), 242A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5200 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-5-1
Paquete / Caja
5-PowerSFN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP005589487
448-IST015N06NM5AUMA1TR
448-IST015N06NM5AUMA1CT
448-IST015N06NM5AUMA1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRFP4668PBFXKMA1

TRENCH >=100V PG-TO247-3

panjit

PJQ1906_R1_00001

MOSFET N-CH 30V 300MA DFN-3L

goford-semiconductor

18N20

N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V

infineon-technologies

IPP033N04NF2SAKMA1

TRENCH PG-TO220-3