Número de Producto del Fabricante:
SPA11N60C3IN
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPA11N60C3IN-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3-31
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventario:
12806506
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
SPA11N60C3IN Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
SPA11N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP000013664
SPA11N60C3
SPA11N60C3IN-NDR
SPA11N60C3X
SPA11N60C3XTIN-DG
SPA11N60C3XTIN
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PJMF360N60EC_T0_00001
FABRICANTE
Panjit International Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
2000
NÚMERO DE PIEZA
PJMF360N60EC_T0_00001-DG
PRECIO UNITARIO
3.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SPA11N65C3XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
799
NÚMERO DE PIEZA
SPA11N65C3XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
Productos relacionados
SI4420DYTR
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
IRFZ46ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
IRL1404SPBF
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
