SPB11N60C3ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

SPB11N60C3ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

SPB11N60C3ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventario:

2703 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806600
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

SPB11N60C3ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
SPB11N60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXTA14N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
235
NÚMERO DE PIEZA
IXTA14N60P-DG
PRECIO UNITARIO
2.12
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
R6011ENJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
R6011ENJTL-DG
PRECIO UNITARIO
1.56
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB13NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1000
NÚMERO DE PIEZA
STB13NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
2.21
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FCB11N60TM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
135
NÚMERO DE PIEZA
FCB11N60TM-DG
PRECIO UNITARIO
1.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB13N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
2210
NÚMERO DE PIEZA
STB13N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.86
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRL3714Z

MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB

infineon-technologies

IRF630NSTRLPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

infineon-technologies

SPP08N80C3XK

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3

infineon-technologies

SPD04N60C3

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3