Número de Producto del Fabricante:
SPI07N65C3HKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPI07N65C3HKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventario:
12807065
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ENVIAR
SPI07N65C3HKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 350µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3-1
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
SPI07N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP000014632
SPI07N65C3XK
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-DG
SPI07N65C3X
SPI07N65C3
SPI07N65C3-DG
SP000680982
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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