Número de Producto del Fabricante:
SPP02N60S5HKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP02N60S5HKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12807465
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ENVIAR
SPP02N60S5HKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 80µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
240 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP02N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5XK
SPP02N60S5X
SPP02N60S5-DG
SPP02N60S5
SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5IN-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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