Número de Producto del Fabricante:
SPP80N06S2L-09
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPP80N06S2L-09-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
13064287
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ENVIAR
SPP80N06S2L-09 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Tube
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 125µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3480 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SPP80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-SPP80N06S2L-09-IT
INFINFSPP80N06S2L-09
SP000013580
SPP80N06S2L09
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STP80NF55-06
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
999
NÚMERO DE PIEZA
STP80NF55-06-DG
PRECIO UNITARIO
1.54
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
FDP047N08
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
4680
NÚMERO DE PIEZA
FDP047N08-DG
PRECIO UNITARIO
1.45
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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