Número de Producto del Fabricante:
SPU18P06P
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPU18P06P-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12807302
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ENVIAR
SPU18P06P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
SPU18P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
2156-SPU18P06P-IT
INFINFSPU18P06P
SPU18P06PIN
SPU18P06PXK
SPU18P06PX
SP000012303
SPU18P06P-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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