Número de Producto del Fabricante:
SPW17N80C3FKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPW17N80C3FKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventario:
452 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806899
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ENVIAR
SPW17N80C3FKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
17A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
290mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2320 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-1
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SPW17N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SPW17N80C3XK
2156-SPW17N80C3FKSA1
SP000013369
SPW17N80C3IN
SPW17N80C3X
ROCINFSPW17N80C3FKSA1
SPW17N80C3XTIN-DG
SPW17N80C3IN-DG
SPW17N80C3IN-NDR
SPW17N80C3XTIN
SPW17N80C3
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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