Número de Producto del Fabricante:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
SPW55N80C3FKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
450 Pcs Nuevos Originales En Stock
12807852
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ENVIAR
SPW55N80C3FKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ C3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
54.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.9V @ 3.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
288 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7520 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
SPW55N80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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