Número de Producto del Fabricante:
IRF6892STRPBF
Product Overview
Fabricante:
International Rectifier
Número de pieza:
IRF6892STRPBF-DG
Descripción:
25V 999A DIRECTFET-LV
Descripción Detallada:
N-Channel 25 V 28A (Ta), 125A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ S3C
Inventario:
3790 Pcs Nuevos Originales En Stock
12941229
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ENVIAR
IRF6892STRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
25 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
28A (Ta), 125A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2510 pF @ 13 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DIRECTFET™ S3C
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric S3C
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
392
Otros nombres
2156-IRF6892STRPBF
INFIRFIRF6892STRPBF
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificación DIGI
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