IXFB120N50P2
Número de Producto del Fabricante:

IXFB120N50P2

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFB120N50P2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventario:

12907618
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IXFB120N50P2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, PolarHV™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFB120

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
25
Otros nombres
-IXFB120N50P2

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IXFB132N50P3
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFB132N50P3-DG
PRECIO UNITARIO
15.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
vishay-siliconix

IRFBC30STRLPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP23N50L

MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3

vishay-siliconix

IRF610S

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay-siliconix

IRF730STRR

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK