Número de Producto del Fabricante:
IXFB90N85X
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFB90N85X-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Descripción Detallada:
N-Channel 850 V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™
Inventario:
14 Pcs Nuevos Originales En Stock
12908695
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFB90N85X Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
850 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
41mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1785W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS264™
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFB90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR320
MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK
IRFBF20STRRPBF
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
IRL640S
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
